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  高性能低温烧结温度稳定高频MLCC         
高性能低温烧结温度稳定高频MLCC
[ 作者:佚名    转贴自:http://www.618.gov.cn/xmcg/Index.asp?typeid=3&xxname=哈尔滨工业大学    点击数:50    更新时间:2006/11/4    文章录入:夏晶晶 ]
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 随着现代电子技术的飞速发展,片式电容(MLCC)的市场需求量日益增加,片式电容(MLCC)是先进陶瓷介质材料与精细制备工艺相结合的高技术产品。在电子信息、集成电路、计算机、自动控制、通讯技术、航空航天、汽车工业、军用国防和民用电子设备等领域广泛应用,市场十分广阔,片式元件及其材料的科研水平和产业化程度已成为衡量一个国家微电子基础工业发展程度和科技水平高低的重要标志之一。
    在863计划八五项目和九五重大项目的支持下,我们成功开发出一个新的具有自主知识产权的高介高频介质材料体系:Bi2O3-ZnO-Nb2O5(BZN)。该系统具有高性能与低温烧结兼优的特点,介电常数高(80-150),介质损耗小,介电常数温度系数可系列化(+150~-470ppm/℃),瓷体致密,绝缘电阻和抗电强度高,化学组成和相组成简单,烧结温度低,工艺简单等优点,可以作为高频MLCC、中高压陶瓷电容器、微波谐振器、滤波器的介质材料使用。BZN系统中NP0组分(EIA标准)的介电常数为95-100。介质损耗小(<6×10-4),介电常数温度系数符合国家电容器标准CG组指标(0±30ppm/℃),烧结温度低(900~940℃),可以采用低钯含量的银钯浆料作为内电极,大大降低MLCC的成本。
    技术水平与开发程度:BZN系高频高介陶瓷材料的研究受到了国家科委863计划八五项目和九五重大项目的支持,十余年的研究使我们对此材料体系有了较为全面深入的认识,并取得了一系列兼具理论价值与实用价值的研究成果。该体系研究获得的零温度系数CG组和负温度系数UJ组两个组别的MLCC瓷料于1994年12月通过了国家技术鉴定,鉴定结论认为此两项成果居国内外领先水平。现已获发明专利两项,近期还准备申请一项发明专利。
    九五期间,我们研制成功的BZN基介质瓷料分别在电子部715厂(863项目协作单位)和广东肇庆风华高新科技股份有限公司(863项目协作单位)试制了MLCC。今年8月,我们研制成功的BZN基温度稳定CG组MLCC瓷料已在广东肇庆风华高新科技股份有限公司成功进行了MLCC中试,为进一步批量生产奠定了坚实基础。中试成功的BZN介质瓷料在高频、高压、大容量MLCC方面具有广阔应用前景。

成果应用情况:

    市场状况:随着集成电路和电子设备小型化、多样化的发展,片式元件的市场用量逐年猛增。片式电容世界市场销售量1974年200亿只,1995年则达2000亿只。国内九五期间片容市场的需求约300亿只/年。因此,本项目具有市场容量大,可持续发展,产业化前景广阔、经济效益显著等特点。
    所需设备和产业条件:需要片式电容MLCC生产线及相关工艺控制、分析设备。

备注:

    合作方式:合作方式待协商。 
联系方式:

    单位名称:西安交通大学
    联 系 人:张旭峰
    联系电话:029-82663980 029-82668977
    联系地址:西安市咸宁西路28号西安交通大学科技处

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