三极管最强科普

2020-2-12 20:07:30 只看该作者 倒序浏览 阅读：1986 回复：4 "晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件" 在电子元件家族中，三极管属于半导体主动元件中的分立元件。

广义上，三极管有多种，常见如下图所示。

狭义上，三极管指双极型三极管，是最基础最通用的三极管。本文所述的是狭义三极管，它有很多别称:

三极管的发明

晶体三极管出现之前是真空电子三极管在电子电路中以放大、开关功能控制电流。

真空电子管存在笨重、耗能、反应慢等缺点。二战时，军事上急切需要一种稳定可靠、快速灵敏的电信号放大元件，研究成果在二战结束后获得。

 早期，由于锗晶体较易获得，主要研制应用的是锗晶体三极管。硅晶体出现后，由于硅管生产工艺很高效，锗管逐渐被淘汰。经半个世纪的发展，三极管种类繁多，形貌各异。

小功率三极管一般为塑料包封；大功率三极管一般为金属铁壳包封。

三极管核心结构

核心是“PN”结是两个背对背的PN结可以是NPN组合，也或以是PNP组合由于硅NPN型是当下三极管的主流，以下内容主要以硅NPN型三极管为例！ NPN型三极管结构示意图

硅NPN型三极管的制造流程

管芯结构切面图

工艺结构特点：发射区高掺杂：为了便于发射结发射电子，发射区半导体掺浓度高于基区的掺杂浓度，且发射结的面积较小; 基区尺度很薄:3~30μm，掺杂浓度低; 集电结面积大：集电区与发射区为同一性质的掺杂半导体，但集电区的掺杂浓度要低，面积要大，便于收集电子。三极管不是两个PN结的间单拼凑，两个二极管是组成不了一个三极管的！工艺结构在半导体产业相当重要，PN结不同材料成份、尺寸、排布、掺杂浓度和几何结构，能制成各样各样的元件，包括IC。

 

三极管电路符号

三极管电流控制原理示意图

三极管基本电路

外加电压使发射结正向偏置，集电结反向偏置。

集/基/射电流关系： IE = IB + IC IC = β * IB 如果 IB = 0, 那么 IE = IC = 0

三极管特性曲线

输入特性曲线集-射极电压UCE为某特定值时，基极电流IB与基-射电压UBE的关系曲线。

UBER是三极管启动的临界电压，它会受集射极电压大小的影响，正常工作时，NPN硅管启动电压约为0.6V； UBEUBER时，三极管才会启动； UCE增大，特性曲线右移，但当UCE>1.0V后，特性曲线几乎不再移动。输出特性曲线基极电流IB一定时，集极IC与集-射电压UCE之间的关系曲线，是一组曲线。

当IB=0时, IC→0 ,称为三极管处于截止状态，相当于开关断开; 当IB>0时, IB轻微的变化,会在上以几十甚至百多倍放大表现出来; 当IB很大时，IC变得很大，不能继续随IB的增大而增大，三极管失去放大功能，表现为开关导通。

三极管核心功能：

放大功能：小电流微量变化，在大电流上放大表现出来。开关功能：以小电流控制大电流的通断。三极管的放大功能 IC = β * IB （其中β≈ 10~400 ）例：当基极通电流IB=50μA时,集极电流: IC=βIB=120*50μA=6000μA 微弱变化的电信号通过三极管放大成波幅度很大的电信号，如下图所示：

所以，三极管放大的是信号波幅，三极管并不能放大系统的能量。能放大多少？哪要看三极管的放大倍数β值了！首先β由三极管的材料和工艺结构决定：如硅三极管β值常用范围为：30~200 锗三极管β值常用范围为：30~100 β值越大，漏电流越大，β值过大的三极管性能不稳定。其次β会受信号频率和电流大小影响：信号频率在某一范围内，β值接近一常数，当频率越过某一数值后，β值会明显减少。 β值随集电极电流IC的变化而变化，IC为mA级别时β值较小。一般地，小功率管的放大倍数比大功率管的大。

三极管主要性能参数

温度对三极管性能的影响温度几乎影响三极管所有的参数，其中对以下三个参数影响最大。（1）对放大倍数β的影响：

在基极输入电流IB不变的情况下，集极电流IC会因温度上升而急剧增大。（2）对反向饱和电流（漏电流）ICEO的影响： ICEO是由少数载流子漂移运动形成的，它与环境温度关系很大，ICEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃，ICEO将增加一倍。

虽然常温下硅管的漏电流ICEO很小，但温度升高后，漏电流会高达几百微安以上。（3）对发射结电压 UBE的影响：温度上升1℃，UBE将下降约2.2mV。

温度上升，β、IC将增大，UCE将下降，在电路设计时应考虑采取相应的措施，如远离热源、散热等,克服温度对三极管性能的影响。三极管的分类

三极管命名标识

三极管封装及管脚排列方式

关于封装：三极管设计额定功率越大，其体积就越大，又由于封装技术的不断更新发展，所以三极管有多种多样的封装形式。当前，塑料封装是三极管的主流封装形式，其中“TO”和“SOT”形式封装最为常见。关于管脚排列：不同品牌、不同封装的三极管管脚定义不完全一样的，一般地，有以上规律：规律一：对中大功率三极管，集电极明显较粗大甚至以大面积金属电极相连，多处于基极和发射极之间；规律二：对贴片三极管，面向标识时，左为基极，右为发射极，集电极在另一边；

基极 — B 集电极 — C 发射极 — E 三极管的选用原则考虑三极管的性能极限，按“2/3”安全原则选择合适的性能参数。: 集极电流IC: IC < 2 / 3 * ICM ICM 集极最大允许电流当 IC>ICM时，三极管β值减小，失去放大功能。集极功率PW: PW < 2 / 3 * PCM PCM集极最大允许功率。当PW > PCM 三极管将烧坏。集-射反向电压UCE: UCE < 2 / 3 * UBVCEO UBVCEO基极开路时,集-射反向击穿电压集/射极间电压UCE>UBVCEO时，三极管产生很大的集电极电流击穿,造成永久性损坏。工作频率ƒ： ƒ = 15% * ƒT ƒT — 特征频率随着工作频率的升高，三极管的放大能力将会下降，对应于β=1 时的频率ƒT叫作三极管的特征频率。此外，还应考虑体积成本，优先选用贴片式三极管。