连华为都在秘密布局的忆阻器，到底是什么“黑科技”？
2020-04-10 09:11 作者： 与非网记者

有消息称，华为分别于 2019 年 3 月（2015 年 6 月申请）、2020 年 1 月（2018 年 6 月申请）公开了两份忆阻器芯片的专利信息。​忆阻器到底是什么器件？
 
公开资料显示，忆阻器全称记忆电阻，即表示具有记忆能力的电阻，是继电阻器、电容器和电感器之后的第四个基本电路元件。较于晶体管芯片，它具有尺寸小、能耗低，可同时储存并处理信息等优势，被认为是能够突破摩尔定律的新方向。有数据统计称，一个忆阻器的工作量相当于一枚 CPU 芯片中十几个晶体管共同产生的效用。

国际上，Micron、IBM、东芝等企业都在研发忆阻器芯片，不过大多数仍然处于实验室验证阶段。
 
不久前，清华大学微电子所、未来芯片技术高精尖创新中心钱鹤、吴华强团队与合作者联合在英国《自然》杂志（Nature）在线发表论文表示，研制出基于忆阻器阵列芯片卷积网络的完整硬件实现。
 
据《科创板日报》报道，国内的闪亿半导体也在进行忆阻器芯片研发，闪亿成立于 2017 年。其核心创始团队成员均毕业于东京大学、清华大学、加州大学等微电子名校，且部分成员有高通、长江存储等大厂工作经验，六位核心成员在行业顶级国际会议上以第一作者身份发文共 30 篇，合计论文专利 500 余篇。
 
其创始人鲁辞莽表示，闪亿实现量产的关键技术为 PLRAM，芯片的生产工艺开发则与华虹宏力紧密合作。目前，其芯片产品完全可基于传统的硅材料实现，且在华宏 90nm 生产线即可实现量产，无需改动产线。
 
根据企业给出的价格，这款芯片的成本价比同类型芯片降低了 3-4 倍，同时计算效率提升 10 倍。在智能家电、蓝牙耳机等对价格敏感的消费类电子领域，具有明显优势。
 
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