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姓名：姚奎鸿 性别：男，出生年月： 1938.9 ，学历 : 本科，职称：教授，硕（博）士生导师，职务：材料工程中心主任。 65976 455
社会兼职：／ 8#信箱
研究领域和研究方向： 123站台
1. 半导体材料制造技术：硅与砷化镓单晶生长 / 磁场生长大直径单晶 / 单晶中微量杂质与微缺陷分析及控制 / 半导体光、电、磁、热特性测试分析 / 材料合成过程及结构分析计算机模拟数字处理；
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2. 高纯度硅烷制造与应用技术：硅烷合成与提纯 / 硅烷化学气相沉积（ CVD ） / 硅烷安全处理 / 硅烷制造工程化； kaoyantj
3. 氮化硅纳米粉体与薄膜制造技术：高纯、超微氮化硅低成本制造 / 含硅（氮化硅 / 碳化硅 / 硅等）涂层 / 非晶硅材料与器件 / 先进陶瓷与功能材料。 123站台
个人简历：
网络督察
1962 年毕业于浙江大学半导体材料与器件专业留校任教， 1985 至 1989 年美国麻省理工学院（ MIT ）材料系访问学者，回国后继续从事教学和科研。 1999 年受聘于浙江工程学院继续从事科研和教学。现浙江工程学院材料工程中心主任，主持材料工程中心建设与研究。 共济网
从事硅烷提纯与硅烷应用研究近 40 年，研究成果曾达到当时国际先进水平。曾承担浙江大学高纯硅和硅烷国家重点实验室筹建的主要任务，主持了高纯硅烷中试工程的设计和建设以及半导体微量微区分析测试系统。 1985-1989 年在 MIT 从事美国航天航空局和国防先进研究项目“磁场大直径单晶生长”和“硅单晶微缺陷研究”，获 MIT 校长好评，回国时赠与大量实验设备。 1989 年起继续硅烷应用开拓，进行含硅薄膜与粉体制备和硅单晶测试的研究。
西门
学术成果（发表学术论文，科研项目，获得专利，出版专著、教材等情况列表） 471弄
学术论文： 课
硅烷的危险特性及安全操作，中国安全科学学报， 2004 ， 14(12) ： 57~61 辅导
SiH4 、 N2 二元混合气在低 O2 态下的潜在危险性低温与特气 2002 ， 院
C 掺杂 AlxGa 1-x As 多层外延与超晶格的 MOVPE 生长及其霍耳评估，浙江大学学报（工学版） 2000 ， 34(5) ： 503 ～ 506 辅导
MOVPE 生长 Zn 掺杂 GaAs 结构的霍耳测量，浙江大学学报（工学版） 1999 ， 33(3)312 ～ 316 共
MOVPE 生长 Si 掺杂 GaAs/Al0.3Ga0.7As 异质结构及其霍耳测量，浙江大学学报（工学版） 1998 ， 32(6)778 ～ 783 200092
硅烷在现代科技中的地位，低温与特气， 1998 ， 16 （ 4 ）： 12~14 65976 455
(1998 年以前略 ) 研
科研项目： 共
FTIR 硅单晶氧碳含量测试系统 横向 2002
济
磁场生长硅单晶 杭州市重点科技 2003 考
纳米氮化硅合成与包覆 国家基金 2005
(2000 年以前略 )
获奖情况：
研究成果曾获得全国科技大会和国家科技攻关部委多次表彰，获得国家发明三等奖、浙江省科技进步一、二等奖、上海市科技进步二等奖、化工部科技进步三等奖：
全分子筛吸附法提纯硅烷，奖章号码 3040 国家发明奖三等 证书号 , 1980.3
探测器级硅单晶与高纯硅烷气体，浙江省科技进步奖一等 证书号 00001, 1985.12
对 CMOS 电路用硅材料质量要求的，上海市科技进步奖二等 证书号 860350, 1987.3
高纯硅烷的进一步提纯技术，浙江省科技进步奖二等 证书号 004122, 1992.12
电子工业用气体 - 硅烷 GB/T 15909-95 ，化工部科技进步奖三等，证书号 97 II -3-037-4,1997.12.11
国务院政府特殊津贴证书 证书号（ 92 ） 3602258 1992.10.1
获国家发明专利 5 项：
一种制造硅化镁的方法 91 1 07558.5 1994.12.3
一种半导体扩散长度测量仪 92 1 08446.3 1995.4.21
半导体热电器件 94 1 12273.5 1997.3.5
半导体热电材料的制造方法及设备 95 1 13361.6 1999.6.12
一种制造高纯度超细氮化硅的方法及设备 97 1 21645.2 2001.1.27 |
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姚奎鸿——浙江理工大学材料加工工程专业硕导简介
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