技术(产品)用途介绍：

 一种垂直温梯法生长铝酸锂(LiAlO2)和镓酸锂(LiGaO2)晶体。垂直温梯法是从熔体的底部结晶，固液界面自下而上移动生长晶体的一种方法。所用的温梯炉是钟罩式真空电阻炉。温梯炉内生长晶体的坩埚是底部有籽晶槽，顶端有盖。周围加热体外有保温屏。坩埚内加入按(1＋x):1(x=0~0.1)配比的高纯粉料经混合压块成形后装入。用垂直温梯法生长LiAlO2和LiGaO2晶体克服了熔体组分挥发的问题，可以生长出作为GaN基蓝光衬底的大面积的LiAlO2和LiGaO2晶体。