技术(产品)用途介绍：

 主要用途 :

应用于研究和确定晶体生长机理及开展表面物理研究，并可生长各种半导体材料。可精确控制外延薄膜的厚度,成分和搀杂浓度,外延生长时可做原位分析与检测,实现原子尺度的外延生长。

产品性能：

 技术指标 ：

——极限真空：5×10-8Pa ——配套仪器：RHEED，QMS

——衬底：3英寸，最高加热温度900±1°C

——分子束源：8个独立式束源炉，温控1300°C±0.5°C


设备组成 ：

——单或双外延生长系统 ——分析与处理系统

——样品引进系统 ——电器控制系统和计算机控制系统