技术(产品)用途介绍：

  投资情况
第一期1500万元的投资将用于：
1. 在2003年建立批量生产设施（每年4500个晶片），同时致力于提高两英寸SiC单晶的质量和成品率；在资金到达6个月以后，便可以向市场试售2英寸SiC晶片。
2. 在2004年大批量生产2英寸SiC晶片，产量每年9000晶片。在投资一年后就可实现有盈利的规模生产和销售。
第二期的1200万元风险投资将用于生产规模扩充至每年18000晶片和全球营销推广。
营销策略：
我们的成本优势带来的营销策略：目前市场价格竞争力
我们预期在第一年产品价格低于同类产品33%的价格打入市场，在2004-2007年以低于目前市场价格的40-60%的竞争价格来实现盈利、销售额和市场占有率的增长。
主要竞争优势：
第一， 我们是全球范围内少数几个拥有SiC单晶生长自主知识产权的机构之一。
我们不仅能够拥有晶体生长的技术，而且还拥有设计制造晶体生长设备的技术，这两者的结合，形成这一独特的竞争优势。
第二，合作体的初始阶段就拥有40多年晶体生长研发和一个专业的管理队伍，同时还有在国外大公司多年工作经历的销售和财务经理加盟。

产品性能：

产品与市场
碳化硅（SiC）是继第一代半导体硅和第二代半导体砷化镓（GaAs）发展起来的第三代半导体材料之一。由于其优良的电学性质，使得它在高温、高频、大功率光电器件将逐步取代现有的硅和砷化镓基光电器件。SiC将在大功率器件如电网调节和高频器件如通讯系统和高清晰度电视系统有着不可估量的市场前景。目前我所已是全球几个有能力生长2英寸半导体晶体的单位之一，
现已设计和加工出具有自主知识产权的晶体生长炉，价格仅为国际上同类产品的1/8-1/10。为急剧增长的需求创造了一个难得的商业机会。