超辐射发光管是一种半导体发光器件，特性介于半导体激光器与发光管之间，既具有激光器功率大、耦合效率高的优点，又具有发光管低噪音、频谱宽的优点。在传感计测、光纤陀螺、中短程光纤通讯等领域有广泛的用途。

超辐射发光管通常是采用较好的半导体激光器结构抑制其激射而制成的。本项目在半导体激光器的结构上和抑制激射方法上都有创新，在激光器件结构方面我们发明并研制了一种和世界已有同类激光器相比工艺最简单且特性优良的新结构器件。这种结构突破了国内外已有的制造器件条形电极的工艺，外延前衬底腐刻出适当的形状、巧妙的利用非平面衬底液相外延的性质，使内电流通路在外延过程中自然形成，从而省掉了外延后淀积掩膜、光刻、扩散（或二次外延）等制造条形电极（或内电流通路）工艺，大大简化了工艺，缩短了流程周期，排除了这些工艺引入晶体缺陷等影响器件寿命的一些因素，提高了器件的可靠性。同时，这样形成的内电流通路很窄，因而工作电流低，响应速度快。在抑制激射上我们提出并采用倾角附加吸收区方法，扩大了超辐射输出范围。该器件我们已能小批生产。在航天部二院原子弹爆炸模拟现场应用效果良好。

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