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偏振不灵敏电吸收调制器制作技术

作者:佚名    转贴自:http://www.tt.cas.cn/web/Fruits/search.asp?pgno=7&txtFruitType=TG&txtTop=200000&txtOrderby=%20FruitE    点击数:72


项目类型: 可推广技术产品
项目单位名称: 中国科学院半导体研究所 (查看联系信息)
专利状况: 未申请专利
技术(产品)报价: 0.00 (市场价)
0.00(批发价)
单位所在地区:

技术(产品)用途介绍:

 偏振不灵敏电吸收调制器为采用多量子阱纳米尺寸制作,利用量子限制Stark效应(QCSE)工作的电吸收器件。调制速率快,尺寸紧凑。在光通讯干线网中对传输信号作外调制,或作高速光开关、光孤子发生器等。

产品性能:

 调制速率 > 10Gb/s, 插入损耗 < 15dB, 偏振相关损耗 < 1dB,
反向偏压 > 5V ,工作带宽 > 30nm