申请（专利）号：02115096.6 
    该发明公开了一种可控生长具有一定直径和分布密度的碳纳米管的方法。其包括以下工艺步骤：(1)用磁过滤真空弧等离子体薄膜沉积或磁控溅射的方法在衬底上镀上一层催化剂薄膜；(2)将镀了催化剂的衬底在氢气气氛下，在600 摄氏度的温度下还原处理；(3)使用流量比为1∶10的乙炔和惰性气体混合气体为反应气体，在700摄氏度下生长碳纳米管；(4)在惰性气体气氛下降温。该发明所述的方法简单，仅仅控制催化剂薄膜的厚度和氢气的还原时间这两个参数，即可实现控制碳纳米管的直径和分布密度。

    单位名称：中山大学
    联 系 人：苟祯成
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